Mono Wafer 156 *156mm Item Specification
Mono Wafer 156 *156mm
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Item
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Specification
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Unit
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Remarks
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| Crystal Growth Method |
CZ
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--
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| Crystal Orientation |
<100> ± 3
|
degree
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| Conductivity Type |
P
|
--
|
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| Dopant |
Boron
|
--
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| Resistivity |
0.5 ~ 3
|
Ω - cm
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| EPD |
< 2000
|
ea/cm2
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| Life Time |
> 10
|
µS
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@Ingot Level |
| Oxygen Contents |
~ 1 x E18 at/cm3
|
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ASTM F121-83 |
| Carbon Contents |
~ 1 x E18 at/cm3
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| Diameter |
200 ± 0.5
|
mm
|
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| Square length |
156 ± 0.5
|
mm
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| Chord length |
125.2 ± 1.5
|
mm
|
|
| Thickness |
200 ± 20
|
µm
|
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| TTV |
<= 40
|
µm
|
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| Warp |
<= 100
|
µm
|
De-Stressed |
| Edge Chips |
<= 3
|
mm
|
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| Front Surface |
As wire-saw
|
--
|
|
| Back Surface |
As wire-saw
|
--
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|
| Appearance |
Free of cracks, craw feet and foreign materials; Saw mark depth <20 um |
||
| Packing | Shrink wrap ; per 100 wafers | ||
| Note | Mono-crystalline; Angle between square sides : 90 deg. +/-18' | ||
企業名片
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