4-inch Sapphire Substrates Item Specification
4-inch Sapphire Substrates
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Item
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Specification
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Unit
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| Material |
>99.99% Single Crystal Al2O3 |
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| Orientation |
C-axis[0001] tiled M-axis 0.2 ± 0.1°
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Degree
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| Primary Flat |
A-Axis [11-20] ± 0.2°
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Degree
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| Diameter |
100 ± 0.25
|
mm
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| Thickness |
650 ± 20
|
μm
|
| Flat Length |
31 mm ± 1
|
mm
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| TTV |
≦ 20
|
um
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| Bow |
-20 ~ 0
|
um
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| Warp |
≦50
|
um
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| LTV |
≦15
|
um
|
| TIR |
≦15
|
um
|
| Frontside Surface Roughness |
≦10
|
Å
|
| Backside Surface Roughness |
0.6 ≦ Ra ≦1.2
|
um
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| Wafer Edge |
R-Type
|
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| Laser Mark |
Front side
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| Package |
25 wafers in one cassette
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| Other specifications are available upon request. | ||
https://www.webseo66.com/web/QA?postID=1040423500mW高功率無線發射模組
規格頻率範圍:315MHz線路架構:S/F工作電壓: 4.5V~5V最大電流: 270mA輸出功率:
企業名片
- 公司名稱:熾燄光電股份有限公司
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